STD10NM60N器件采用第二代MDmesh技術(shù)開發(fā)的N溝道功率MOSFET。這款革命性功率MOSFET將垂直結(jié)構(gòu)與公司條帶布局相結(jié)合,實現(xiàn)了全球最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷之一,因此適用于要求最嚴(yán)苛的高效轉(zhuǎn)換器。
STD10NM60N 功能
100%雪崩測試
低輸入電容與柵極電荷
低柵極輸入電阻
STD10NM60N 參數(shù)
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: MDmesh
STD10NM60N 應(yīng)用
? 開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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