IXFP14N85XM 是一款高性能 N 溝道增強型功率 MOSFET,屬于 Ultra-Junction X-Class 系列。該器件設計用于高電壓和高電流應用,具有低導通電阻(Rds(on))和優(yōu)異的熱性能,適用于電源管理、工業(yè)控制、電動車輛(EV)和可再生能源系統(tǒng)等領域。
IXFP14N85XM 產(chǎn)品特性
高耐壓能力:最大漏源電壓(Vds)為 850V,適用于高電壓應用。
低導通電阻:Rds(on) 為 0.42Ω @ Vgs=10V,減少導通狀態(tài)下的功率損耗。
高電流承載能力:最大漏極電流(Id)為 14A,滿足高功率密度設計需求。
低柵極電荷:Qg 為 62nC,優(yōu)化開關性能,減少開關過程中的能量損耗。
優(yōu)異的熱性能:采用 TO-220 封裝,提供良好的散熱性能。
寬工作溫度范圍:-55°C 至 150°C,適用于多種工業(yè)和汽車應用場景。
IXFP14N85XM 產(chǎn)品屬性
制造商: IXYS
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V
Id-連續(xù)漏極電流: 14 A
Rds On-漏源導通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 460 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
應用范圍
IXFP14N85XM 廣泛應用于需要高電壓、高效率和高可靠性的功率電子系統(tǒng),包括但不限于:
工業(yè)電源:作為主開關元件,提供高效的功率轉換能力。
不間斷電源(UPS):確保電力供應的穩(wěn)定性和可靠性。
光伏逆變器:用于 DC-AC 轉換,實現(xiàn)太陽能能量的高效輸出。
電動車充電系統(tǒng):高耐壓和低導通電阻特性使其成為理想的功率開關器件。
電機驅動器:如工業(yè)自動化設備中的變頻驅動器(VFD)和伺服驅動器。
電源適配器:適用于高性能筆記本電腦電源適配器和服務器電源系統(tǒng)。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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