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TP65H050G4WS是 Renesas公司推出的 SuperGaN 系列 氮化鎵 （GaN）FET，采用通孔N通道結(jié)構(gòu)，適用于高功率場景。該器件將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合，以提供卓越的可靠性和性能。

基礎(chǔ)參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

此外，TP65H050G4WS通過 JEDEC 認(rèn)證，具備寬電壓安全裕度與抗瞬態(tài)過壓能力。其設(shè)計(jì)符合 RoHS 3 標(biāo)準(zhǔn)，TP65H050G4WS 采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 3 引腳 TO-247 封裝，具有通用源極封裝配置。

目標(biāo)應(yīng)用

數(shù)據(jù)通信

博大實(shí)業(yè)

光伏逆變器

伺服電機(jī)

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。