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TP65H050G4BS 650V 50mΩ 氮化鎵 （GaN） FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構建的常閉器件。 它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結合，以提供卓越的可靠性和性能。

TP65H050G4BS 采用行業(yè)標準的 TO-263 （ D2PAK ）封裝，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS通過 JEDEC 認證，適用于高功率系統設計（數千瓦至幾千瓦），支持數據中心和工業(yè)領域應用。

技術規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：34A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：60 毫歐 @ 22A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 700μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：119W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263

典型應用

數據通信

博大實業(yè)

光伏逆變器

伺服電機

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