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商品型號(hào):DMWSH120H28SM4Q

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Diodes

年份:24+

封裝:TO-247-4

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Diodes
型號(hào)
DMWSH120H28SM4Q
封裝
TO-247-4
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 100A(Tc) 429W(Tc) TO-247-4

產(chǎn)品描述

DMWSH120H28SM4Q 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。該MOSFET具有低輸入電容,非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。


DMWSH120H28SM4Q的規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):28.5 毫歐 @ 50A,15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3,6V @ 17,7mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):156.3 nC @ 15 V

Vgs(最大值):+19V,-8V

功率耗散(最大值):429W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級(jí):汽車級(jí)

資質(zhì):AEC-Q101

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4

封裝/外殼:TO-247-4


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Diodes

Diodes

Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…

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