商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4
型號:NVH4L050N170M1
封裝:TO-247-4
類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管
NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):
FET 類型:N 通道
技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):76 毫歐 @ 35A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4,3V @ 10mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+25V,-15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2063 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值):333W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
NVH4L050N170M1 產(chǎn)品特點:
18V 至 20V 柵極驅(qū)動
典型值 RDS(ON) = 53 m @ VGS = 20 V
超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)
高速開關,低電容(Coss = 98 pF)
100% 通過雪崩測試
全新 1700V M1 技術:53 毫歐 RDS(ON),低 EON 和 EOFF 損耗
NVH4L050N170M1 應用:
反激式轉(zhuǎn)換器
車載充電器
用于電動汽車/混合動力汽車的車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅(qū)動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NTBL032N065M3S
NTBL032N065M3S:碳化硅 (SiC) MOSFET——650V、55A、N通道 MOSFET 晶體管,H-PSOF-8型號:NTBL032N065M3S封裝:H-PSOF-8類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NTBL032N065M3S 產(chǎn)品特點:最高結(jié)溫 175C無引線薄型 SMD 封裝開爾文源配置出色的 FOM [ = Rdson * Eoss ]超低柵極…電話咨詢:86-755-83294757
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