商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
E3M0060065D - 650V、60mΩ、37A E-系列汽車碳化硅功率 MOSFET 晶體管,采用 TO-247-3 封裝
產(chǎn)品概述
E3M0060065D 是采用 TO-247-3 封裝的 650V 碳化硅 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管。Wolfspeed 通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET,擴(kuò)大了其在碳化硅領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,該系列產(chǎn)品具有汽車認(rèn)證、PPAP 能力和防潮 MOSFET。它采用了 Wolfspeed 的第三代堅(jiān)固耐用技術(shù),具有業(yè)界最低的開關(guān)損耗和最高的性能指標(biāo)。E 系列 MOSFET 經(jīng)過優(yōu)化,可用于電動(dòng)汽車電池充電器和高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,并在 Wolfspeed 的 6.6kW 雙向板載充電器參考設(shè)計(jì)中得到應(yīng)用。
主要特點(diǎn)
通過汽車行業(yè)認(rèn)證(AEC-Q101),并具備 PPAP 能力
在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)具有高擊穿電壓
高速開關(guān),輸出電容低
高阻塞電壓,低 RDS(on)
快速本征二極管,反向恢復(fù) (Qrr) 低
優(yōu)勢
耐高壓、高溫和高濕度,真正實(shí)現(xiàn)了太陽能轉(zhuǎn)換和車外充電的戶外應(yīng)用
降低冷卻要求
顯著縮小系統(tǒng)尺寸
易于并聯(lián),驅(qū)動(dòng)簡單
減輕續(xù)航焦慮,加快充電速度
應(yīng)用
電動(dòng)汽車車載充電器
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
電動(dòng)汽車暖通空調(diào)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
傳動(dòng)系統(tǒng)牽引逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。HAS310M17BM3 的特點(diǎn)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 mm 基底面外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標(biāo)準(zhǔn)高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計(jì)超低損耗、高頻運(yùn)行常開、故障安全器件操作銅基板和氮化鋁絕緣…CAB6R0A23GM4T
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CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預(yù)應(yīng)用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點(diǎn)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預(yù)涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點(diǎn)通過 1500 V 直流電鏈路實(shí)…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
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