HAS310M17BM3 是 1700V 310A 碳化硅半橋模塊。
HAS310M17BM3 的特點
工業(yè)標準 62 mm 基底面
外殼 CTI ≥ 600(I 類材料)
符合 EN45545-2 R22/23 HL3 標準
高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
專為碳化硅優(yōu)化的低電感設(shè)計
超低損耗、高頻運行
常開、故障安全器件操作
銅基板和氮化鋁絕緣體
HAS310M17BM3 的優(yōu)點
62 毫米外形尺寸實現(xiàn)了系統(tǒng)改造
由于碳化硅的開關(guān)和傳導損耗低,系統(tǒng)效率得以提高
肖特基二極管零反向恢復
MOSFET 的零關(guān)斷尾電流
HAS310M17BM3 的應用
鐵路輔助和牽引
感應加熱
電機驅(qū)動
可再生能源
電動汽車快速充電
UPS 和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T 是 2300 V、6 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB6R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB6R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T 是 2300 V、7.5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB7R5A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB7R5A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T 是 2300 V、5 mΩ、GM 封裝、半橋 SiC 功率模塊,帶預應用熱接口材料。CAB5R0A23GM4T 的特點采用行業(yè)標準外形尺寸的領(lǐng)先碳化硅 MOSFET 技術(shù)高 CTI 外殼,可降低爬電要求內(nèi)置 NTC壓入式連接提供預涂熱接口材料CAB5R0A23GM4T 的優(yōu)點通過 1500 V 直流電鏈路實…C3M0280090J
C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET,具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。典型應用包括:可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應加熱。C3M0280090J的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅…C3M0160120D
C3M0160120D是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 160 mΩ, 17 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-247-3封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0160120D…C3M0350120J
C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET,具有高阻斷電壓、低導通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)和不間斷電源(UPS)。C3M0350120J的規(guī)格:…電話咨詢:86-755-83294757
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