商品名稱(chēng):TLE5009A16DE1210XUMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLE5009A16DE1210XUMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TSSOP-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1200 件
英飛凌的 TLE5009A16DE1210XUMA1 角度傳感器系列專(zhuān)為角度位置傳感汽車(chē)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件精度高、360° 測(cè)量范圍寬、傳播延遲短,適用于高速、高精度要求的系統(tǒng),例如用于執(zhí)行器和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 的無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)。同時(shí),它的快速上電時(shí)間和低總功耗使其能夠用于低功耗轉(zhuǎn)彎計(jì)數(shù)。通過(guò)電源循環(huán)可實(shí)現(xiàn)極低的功耗,快速上電的優(yōu)勢(shì)可降低平均功耗。
這款磁傳感器采用 5.0V 雙模 GMR 技術(shù),不含 TCO(溫度補(bǔ)償偏移)。
功能概述
采用 AMR 或 GMR 技術(shù)的單模和雙模傳感器
頂部和底部傳感器采用獨(dú)立電源引腳
低電流消耗和快速啟動(dòng)
180° (AMR) 和 360° (GMR) 非接觸式角度測(cè)量
輸出振幅經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于 3.3 V 或 5 V 電源電壓的電路
基于 MR 傳感原理,不受氣隙變化的影響
符合 Q100 汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn),1 級(jí):-40°C 至 125°C(環(huán)境溫度)
用于差分或單端應(yīng)用的預(yù)放大輸出信號(hào)
可在一個(gè)封裝中實(shí)現(xiàn) GMR 傳感器和 AMR 傳感器的多種冗余組合
AMR 傳感器精度高,總角度誤差通常為 0.1°
潛在應(yīng)用
無(wú)刷直流電機(jī)
踏板和旋轉(zhuǎn)開(kāi)關(guān)
轉(zhuǎn)向角傳感
閥門(mén)或襟翼位置傳感
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…BTS5016SDA
BTS5016SDA 是一款采用 PG-TO252-5-11 封裝的單通道高側(cè)功率開(kāi)關(guān),內(nèi)置保護(hù)功能。BSZ440N10NS3G
BSZ440N10NS3G 是英飛凌推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3 系列,采用 PG-TSDSON-8封裝,該器件專(zhuān)為高效率、高功率密度的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)能力和高可靠性等特點(diǎn)。BSZ440N10NS3G產(chǎn)品特性低導(dǎo)通電阻:RDS(on) 低至 1.1 毫歐,顯著降低功…BTS5210L
BTS5210L是英飛凌推出的 PROFET?(Protected FET)智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),屬于多通道功率開(kāi)關(guān)IC,專(zhuān)為 汽車(chē)電子、工業(yè)控制及電源管理 等應(yīng)用設(shè)計(jì)。BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開(kāi)關(guān)頻率和高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類(lèi)型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…電話咨詢:86-755-83294757
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