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BSZ011NE2LS5I是（Infineon）推出的OptiMOS? 5功率MOSFET，設計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，該器件的RDS(on)和品質因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性：

出色的導通電阻

符合標準的開關性能（低品質因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qgd）

符合RoHS標準且無鹵素

經(jīng)過優(yōu)化的EMI表現(xiàn)（ 集成的阻尼網(wǎng)絡）

高效率

采用S3O8或Power Block模塊封裝的高功率密度

降低了總體系統(tǒng)成本

在高開關頻率下運行

BSZ011NE2LS5I的性能參數(shù)

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A（Ta），40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.1毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：50 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TSDSON-8

應用領域

臺式機和服務器r

單相和多相PoL

筆記本電腦中的CPU/GPU電壓調節(jié)

高功率密度電壓調節(jié)器

O形環(huán)

電子保險絲

• 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。