商品名稱:CYAT817AZS77-520DA
數(shù)據(jù)手冊:CYAT817AZS77-520DA.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:128-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
CYAT817AZS77-520DA 觸摸屏控制器 2 線電容式,PSoC? 汽車多點觸控 7XL 代
產(chǎn)品屬性
觸摸屏 2 線電容
接口 I2C,SPI
電壓 - 供電 1.71V ~ 1.95V,3V ~ 5.5V
工作溫度 -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 128-LQFP
供應(yīng)商器件封裝 128-TQFP(14x20)
特性
多點觸摸電容式觸摸屏控制器
- 32 位 Arm? Cortex? CPU
- 寄存器可配置
- 顯示和 EMI 噪聲抑制技術(shù)
- 懸停感應(yīng)(最大 35 毫米)
- 力觸摸
- 滑塊感應(yīng)
- CAPSENSE? 按鈕感應(yīng)
- 喚醒按鈕感應(yīng)
- 低功耗喚醒按鈕(< 50 μA)
- 喚醒觸摸屏
- 運行診斷
- 支持分屏
- 支持自由形狀
- 有效的 20 V 驅(qū)動器可實現(xiàn)更高的信噪比 (SNR)[1]
- AutoArmor 可提高電磁輻射和抗擾度
- 外部顯示同步
- 使用 DualSense 進行防水和濕手指跟蹤
- 具有自動模式切換功能的多點觸控手套
- 十指薄手套(≤ 1 毫米厚)
- 帶厚手套(厚度 ≤ 5 毫米)的兩個手指
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是(Infineon)推出的OptiMOS? 5功率MOSFET,設(shè)計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性:出色的導通電阻符合標準的開關(guān)性能(低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源…ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由(Infineon)生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品,屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列,其采用新一代功率MOSFET技術(shù),可滿足開關(guān)電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化,可為各種應(yīng)用提供支持,實現(xiàn)靈活設(shè)計…ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是(Infineon)推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET,具有很高的能效,可提高系統(tǒng)的整體性能,同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢:86-755-83294757
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