商品名稱：CYT2B78CADQ0AZSGS
數(shù)據(jù)手冊：
CYT2B78CADQ0AZSGS.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：176-LQFP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
CYT2B78CADQ0AZSGS 配備一個用于主處理的 Arm? Cortex?-M4 CPU 和一個用于外設和安全處理的 Arm? Cortex?-M0+ CPU。這些器件包含支持具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng)和本地互連網(wǎng)絡的嵌入式外設。
特性
內(nèi)存保護單元（MPU）
共享內(nèi)存保護單元（SMPU）
外設保護單元 (PPU)
看門狗定時器 (WDT)
多計數(shù)器看門狗定時器 (MCWDT)
低電壓檢測器 (LVD)
欠壓檢測器 (BOD)
過壓檢測器 (OVD)
時鐘監(jiān)控器 (CSV)
最多兩個從休眠模式喚醒的引腳
最多 152 個 GPIO 引腳，用于從休眠模式喚醒
事件發(fā)生器、SCB、看門狗定時器、RTC 警報，用于從深度睡眠模式喚醒
內(nèi)部主振蕩器 (IMO)
內(nèi)部低速振蕩器 (ILO)
外部晶體振蕩器 (ECO)
手表晶體振蕩器 (WCO)
鎖相環(huán) (PLL)
鎖相環(huán) (FLL)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB（4M x 8） 閃存 PG-LFBGA-292-6
TI
VQFN-32
9000
MSP430 CPU16 MSP430G2xx 微控制器 IC 16 位 16MHz 16KB（16K x 8） 閃存 32-VQFN（5x5）
Cypress
QFN-40
2000
ARM? Cortex?-M0+ null 微控制器 IC 32-位 24MHz 16KB（16K x 8） 閃存 40-QFN（6x6）
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是（Infineon）推出的OptiMOS? 5功率MOSFET，設計符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性：出色的導通電阻符合標準的開關性能（低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…
ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，可為各種應用提供支持，實現(xiàn)靈活設計。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源…
ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由（Infineon）生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品，屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設計靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術，可滿足開關電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等…
ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列，其采用新一代功率MOSFET技術，可滿足開關電源、電機驅(qū)動器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動車和太陽能等多種應用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對低開關頻率和高開關頻率進行了優(yōu)化，可為各種應用提供支持，實現(xiàn)靈活設計…
ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是（Infineon）推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢：86-755-83294757
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