商品名稱：2ED020I12F2
數(shù)據(jù)手冊(cè)：
2ED020I12F2.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：36-BSSOP
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
2ED020I12F2 是一款電隔離雙通道 IGBT 驅(qū)動(dòng)器，采用 PG-DSO-36-58 封裝，提供兩個(gè)完全獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)器輸出，電流能力通常為 2A。
主要特性
雙通道隔離式 IGBT 驅(qū)動(dòng)器
用于 600V/1200V IGBT
2 A 軌至軌輸出
Vcesat 檢測(cè)
有源米勒鉗
產(chǎn)品亮點(diǎn)
無芯變壓器隔離驅(qū)動(dòng)器
電隔離
集成保護(hù)功能
占地面積小
適合在高環(huán)境溫度下運(yùn)行
典型應(yīng)用
交流和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器
UPS 系統(tǒng)
焊接
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I是（Infineon）推出的OptiMOS? 5功率MOSFET，設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求，同時(shí)可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件，該器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。以下是其核心特性：出色的導(dǎo)通電阻符合標(biāo)準(zhǔn)的開關(guān)性能（低品質(zhì)因數(shù)Ron x Qg和Ron x Qg…
ISC052N03LF2S
ISC052N03LF2S是一款74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。該產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源…
ISC028N03LF2S
ISC028N03LF2S是由（Infineon）生產(chǎn)的一款功率MOSFET產(chǎn)品，屬于StrongIRFET? 2系列。主要針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了設(shè)計(jì)靈活性。ISC028N03LF2S采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等…
ISC023N03LF2S
ISC023N03LF2S功率MOSFET屬于StrongIRFET? 2系列，其采用新一代功率MOSFET技術(shù)，可滿足開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池供電、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車和太陽能等多種應(yīng)用需求。ISC023N03LF2S產(chǎn)品針對(duì)低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，可為各種應(yīng)用提供支持，實(shí)現(xiàn)靈活設(shè)計(jì)…
ISC009N03LF2S
ISC009N03LF2S是（Infineon）推出的一款341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時(shí)還具有出色的穩(wěn)健性。ISC009N03LF2S具有以下關(guān)鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏…電話咨詢：86-755-83294757
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