最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)功率MOSFET】全新原裝 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封裝的 200V 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET描述：StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS（導(dǎo)通）和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅(jiān)固性…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)功率MOSFET】全新原裝 IRFI4020H-117P 采用 TO-220 FullPak 封裝的 200V 雙 N 溝道數(shù)字音頻 StrongIRFET? 功率 MOSFET
描述：
StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對(duì)低 RDS（導(dǎo)通）和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅(jiān)固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。
IRFI4020H-117P—MOSFET - 陣列 200V 9.1A 21W 通孔 TO-220-5 整包
產(chǎn)品屬性：
制造商： Infineon Technologies
包裝： 管件
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
配置： 2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss）： 200V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 9.1A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 100 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 4.9V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 29nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1240pF @ 25V
功率 - 最大值： 21W
工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： TO-220-5 整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-5 整包
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