深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)碳化硅MOSFET】進(jìn)口原裝 C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3產(chǎn)品描述：Wolfspeed SiC C3M MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減小電感器、電容器、濾波器和變壓器的器件尺寸。 SiC…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【供應(yīng)碳化硅MOSFET】進(jìn)口原裝 C3M0016120D 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 115A（Tc） 556W（Tc） TO-247-3
產(chǎn)品描述：
Wolfspeed SiC C3M MOSFET 能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減小電感器、電容器、濾波器和變壓器的器件尺寸。 SiC C3M MOSFET具有更高的系統(tǒng)效率和較低的冷卻需求。 MOSFET還可增加功率密度和系統(tǒng)轉(zhuǎn)換頻率。
C3M0016120D一款碳化硅功率 MOSFET C3MTM MOSFET 技術(shù) N 溝道增強(qiáng)模式。
產(chǎn)品規(guī)格：
制造商:Wolfspeed
產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 27 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 53 S
Id-連續(xù)漏極電流: 115 A
最大工作溫度: + 175 C
最小工作溫度: - 40 C
安裝風(fēng)格: Through Hole
通道數(shù)量: 1 Channel
封裝 / 箱體: TO-247-3
Pd-功率耗散: 556 W
產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷: 207 nC
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 22.3 mOhms
上升時間: 28 ns
工廠包裝數(shù)量: 30
子類別: Transistors
技術(shù): SiC
晶體管極性: N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 84 ns
典型接通延遲時間: 174 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 19 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
單位重量:6 g
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