深圳明佳達(dá)電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H、IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC,聯(lián)系qq:1668527835,電話:13410018555,郵箱:chen13410018555@163.com,公司首頁:sacramento-placer.com
深圳明佳達(dá)電子公司全新原裝出售英飛凌碳化硅MOSFET IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1 TO-247-4封裝的1200V CoolSiC
供應(yīng)型號(hào):IMZ120R140M1H/IMZ120R140M1HXKSA1
批號(hào):21+
描述:通孔 N 通道 1200 V 19A(Tc) 94W(Tc) PG-TO247-4-1
規(guī)格
系列 CoolSiC?
包裝 管件
FET 類型 N 通道
技術(shù) SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss) 1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 19A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 182 毫歐 @ 6A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 5.7V @ 2.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 13 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +23V,-7V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 454 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 94W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 PG-TO247-4-1
封裝/外殼 TO-247-4
特征描述
一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗
基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,簡(jiǎn)單輕松地進(jìn)行柵極驅(qū)動(dòng)
柵源電壓范圍寬
損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向
開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響
驅(qū)動(dòng)源引腳,優(yōu)化開關(guān)性能
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電動(dòng)汽車快速充電
太陽能系統(tǒng)解決方案
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