最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級(jí)雙 N 溝道 MOSFET 晶體管產(chǎn)品概覽STL8DN6LF6AG 是一款雙 N 溝道功率 MOSFET，采用 STripFET? F6 技術(shù)和新型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。由此產(chǎn)生的功率 MOSFET 在所有封裝中都具有極低的 RDS(on)。產(chǎn)品屬性配置：2 N-通…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【ST】STL8DN6LF6AG 60V 汽車級(jí)雙 N 溝道 MOSFET 晶體管
產(chǎn)品概覽
STL8DN6LF6AG 是一款雙 N 溝道功率 MOSFET，采用 STripFET? F6 技術(shù)和新型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。由此產(chǎn)生的功率 MOSFET 在所有封裝中都具有極低的 RDS(on)。
產(chǎn)品屬性
配置：2 N-通道（雙）
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Tc）
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 9.6A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
等級(jí)：汽車級(jí)
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
產(chǎn)品特性
極低導(dǎo)通電阻
極低的柵極電荷
高雪崩堅(jiān)固性
柵極驅(qū)動(dòng)功率損耗低
可潤(rùn)濕側(cè)面封裝
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時(shí)間：2025-05-14
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