商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMSQ120R040M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,40 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比,頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局,從而減少寄生元件和雜散電感的影響,同時(shí)提供增強(qiáng)的熱管理能力。
頂部散熱Q-DPAK雙半橋封裝正引領(lǐng)散熱、能效、設(shè)計(jì)靈活性和性能的新時(shí)代。
IMSQ120R040M2HH 特性
VDSS = 1200 V(Tvj = 25°C)
IDDC = 40 A(TC = 100°C)
RDS(on) = 40 mΩ,VGS = 18 V,Tvj = 25°C
極低的開關(guān)損耗
過(guò)載運(yùn)行溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時(shí)間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓 4.2 V
對(duì)寄生導(dǎo)通具有抗擾性
適用于硬切換的堅(jiān)固體二極管
.XT 互聯(lián)技術(shù)
IMSQ120R040M2HH 的優(yōu)勢(shì)
更高的功率密度
支持自動(dòng)化裝配
簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度
與BSC相比具有卓越的熱性能
降低系統(tǒng)功率損耗
支持PD 2下的950 V VRMS
降低總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMSQ120R040M2HH的應(yīng)用領(lǐng)域
電動(dòng)汽車充電
通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
光伏應(yīng)用
在線不間斷電源(UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
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IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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