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HMC849ALP4CE是一款高隔離非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT開關，采用低成本無引腳表貼封裝。 該開關非常適合蜂窩/WiMAX/4G基礎設施應用，實現(xiàn)高達60 dB的隔離、0.8 dB的低插入損耗和+52 dBm的輸入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX頻段內(nèi)，該器件具有很高的功率處理能力，另外提供+31 dBm的P1dB壓縮點性能。 片內(nèi)電路可在極低直流電流下實現(xiàn)0/+3V或0/+5V單正電壓控制。 使能輸入(EN)設為邏輯高電平可將該開關置于“全關”狀態(tài)。

HMC849ALP4CE 的特性：

高隔離度： 最高60 dB

單正控制電壓： 0/+3V至+5V

高輸入IP3： +52 dBm

非反射式設計

“全關”狀態(tài)

16引腳4x4mm SMT封裝： 16mm2

典型應用

HMC849ALP4CE 適用于：

蜂窩/4G基礎設施

WiMAX、WiBro與固定無線

汽車遠程信息系統(tǒng)

移動無線電

測試設備

HMC849ALP4CE 技術參數(shù)：

開關配置: SPDT

最小頻率: 0 Hz

最大頻率: 6 GHz

介入損耗: 1.8 dB

關閉隔離—典型值: 50 dB

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: QFN-16

技術: GaAs

系列: HMC849

開關數(shù)量: Dual

工作電源電流: 1.3 mA

Pd-功率耗散: 969 mW

電源電壓-最大: 5 V

電源電壓-最小: 3 V

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