商品名稱:收發(fā)器 ASSP
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:64-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
R9J06G039UGNP是業(yè)界首個滿足用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的ASi-5(執(zhí)行器-傳感器-接口 版本 5 )標(biāo)準(zhǔn)的芯片解決方案,全面支持工業(yè) 4.0應(yīng)用所需的工業(yè)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備。 ASI4U-V5 ASSP是一款經(jīng)過全面驗(yàn)證和現(xiàn)場檢驗(yàn)的固件,可以完全實(shí)現(xiàn)ASi-5。 因此,將ASi-5集成到任何應(yīng)用中都非常容易,因?yàn)樾酒凸碳p輕了現(xiàn)場總線的復(fù)雜性。
主要特性
器件型號:R9J06G039UGNP
完全符合 AS-i 第 5 版標(biāo)準(zhǔn)
完全兼容 AS-i 第 3 版標(biāo)準(zhǔn)
該解決方案由 ASSP 和一個自帶的 ASi-5 固件組成
64-pin QFN 封裝
支持簡單型從站應(yīng)用(數(shù)字 IO 連接)
支持復(fù)雜型從站應(yīng)用(SPI 接口應(yīng)用)
工作溫度 -40 至 +85°C
電源電壓:5V 和 3.3V
封裝尺寸:9 x 9 mm,間距 0.5 mm
應(yīng)用場景
R9J06G039UGNP適用于傳感器、執(zhí)行器及其他需低成本、高效率現(xiàn)場總線連接的工業(yè)設(shè)備,可降低開發(fā)門檻并優(yōu)化系統(tǒng)成本。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類的夢想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺,結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應(yīng)晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術(shù),具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導(dǎo)通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設(shè)計。TP65H035G4YS器件結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術(shù)符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構(gòu)建的常閉器件。使用專有技術(shù),從而降低了內(nèi)部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結(jié)合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術(shù)FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅(qū)…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產(chǎn)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異開關(guān)性能,適用于高效率電源轉(zhuǎn)換場景。核心參數(shù)FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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