9FGL6251AP302NDGI是(Renesas)推出的一款智能PCIe時鐘緩沖器/發(fā)生器,專為單端口和雙端口nVME固態(tài)硬盤設計。9FGL6251AP302NDGI通過優(yōu)化時鐘信號傳輸,確保數據傳輸的穩(wěn)定性和可靠性,適用于高速數據通信場景。
以下是9FGL6251AP302NDGI的主要特性:
自動檢測輸入時鐘是否存在
低壓HCSL輸出上的集成終端節(jié)省了8個電阻
SRnS (IR)或CC架構的201、301配置
默認為0% SSC
SRIS (IR)或CC架構的202,302種配置
默認為-0.5% SSC
SMBus可選-0.25% SSC
選擇25MHz或33 1/3MHz參考時鐘
REF時鐘輸出;保存外部XO
2.5V至3.3V工作電壓(VDDREF為1.8V)
帶外部晶振的4×4mm 28 VQFP N封裝
目標應用
? 1 × 4 和 2 × 2 nVME SSD
? 3:2 PCIe 時鐘多路復用
型號
品牌
封裝
數量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H100G4LSGB
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術平臺,結合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。產品屬性FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動…TP65H100G4PS
TP65H100G4PS是 Renesas 推出的650V GaN FET (氮化鎵場效應晶體管),采用 Gen IV SuperGaN平臺技術,具有高可靠性、低損耗特性。主要規(guī)格FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On…TP65H035G4YS
TP65H035G4YS 是 Renesas 推出的SuperGaN FET器件,采用 TO-247-4L封裝 ,導通電阻為35mΩ,具備開爾文源極端子設計。TP65H035G4YS器件結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,可提供卓越的可靠性和性能。TP65H035G4YS 具有以下主要特性:第四代技術符合 JED…TP65H035G4WSQA
TP65H035G4WSQA 650V 35mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用Renesas的 GenIV 平臺構建的常閉器件。使用專有技術,從而降低了內部封裝電感并簡化了組裝過程。它將最先進的高壓 GaN HEMT 與低壓硅 MOSFET 相結合,以提供卓越的可靠性和性能。此外,TP65H035G4WSQA還通過了 175C …TP65H070G4RS
TP65H070G4RS 是 Renesas 推出的第四代 SuperGaN 技術FET器件,采用 TOLT封裝 (頂部散熱型表面貼裝),適用于需要高效熱管理和高可靠性的場景。其主要規(guī)格如下:FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):29A(Tc)驅…TP65H070G4PS
TP65H070G4PS是一款650V、70mΩ的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET),采用TO-220封裝,由(Renesas)生產。該器件具有低導通電阻和優(yōu)異開關性能,適用于高效率電源轉換場景。核心參數FET 類型:N 通道技術:GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極…電話咨詢:86-755-83294757
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