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商品名稱(chēng):P 溝道 MOSFET
品牌:ON
年份:25+
封裝:DFN5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NVMFS2D3P04M8L 器件是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于P溝道類(lèi)型,采用 DFN5 封裝,具有-40 V的漏源電壓和-222 A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為2.2mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+175℃,適用于汽車(chē)電子。
關(guān)鍵規(guī)格
FET 類(lèi)型:P 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):31A(Ta),222A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.2 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):2.4V @ 2.7mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):157 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5985 pF @ 20 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),205W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車(chē)級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶(hù)解決他們?cè)谄?chē)、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NXVF6532M3TG01
NXVF6532M3TG01是一款用于 OBC 的650 V、SiC 功率模塊,由(onsemi)生產(chǎn)。該模塊的導(dǎo)通電阻為32mΩ,具有溫度感應(yīng)功能,熱阻最低,適用于 xEV 中的 DC-DC 和車(chē)載充電器。主要特征? 帶 Al2O3 DBC 的 650 V 32 m SiC MOSFET 模塊? 帶 SIP 的 H 橋,用于車(chē)載充電器 (OBC…FGB5065G2-F085
FGB5065G2-F085是一款 IGBT 器件,由(onsemi)生產(chǎn),具有以下關(guān)鍵參數(shù):IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):78 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.15V @ 10V,50A功率 - 最大值:300 W開(kāi)關(guān)能量:-輸入類(lèi)型:邏輯柵極電荷…FGB5056G2-F085
FGB5056G2-F085是一款560V N 溝道點(diǎn)火 IGBT,用于 PTC 加熱器和大電流系統(tǒng)應(yīng)用。該器件由(onsemi)生產(chǎn),具有以下規(guī)格:IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):560 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80 A不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):2.1V @ 10V,50A功率 - 最…NVTFS015P03P8Z
NVTFS015P03P8Z是一款由(onsemi)推出的汽車(chē)級(jí)功率 MOSFET,采用 5x6mm 扁平引線(xiàn)封裝,專(zhuān)為緊湊高效的設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高熱性能。可濕性側(cè)面選項(xiàng)可用于增強(qiáng)光學(xué)檢查。NVTFS015P03P8Z符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),適用于汽車(chē)應(yīng)用。技術(shù)規(guī)格FET 類(lèi)型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化…NTHL040N65S3HF
NTHL040N65S3HF 是一款由(onsemi)生產(chǎn)的功率MOSFET ,屬于N溝道類(lèi)型,采用 SUPERFET III 和 FRFET 技術(shù),具有650V的漏源電壓和65A的連續(xù)漏極電流??。該器件的導(dǎo)通電阻為40mΩ,工作溫度范圍為-55℃至+150℃,適用于各種高功率應(yīng)用場(chǎng)景?。NTHL040N65S3HF具有以下關(guān)鍵…NTH4L040N65S3F
NTH4L040N65S3F是一款由(onsemi)制造的650 V,65 A功率MOSFET,利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低導(dǎo)通電阻,以及更低門(mén)極電荷方面的卓越性能。此先進(jìn)技術(shù)專(zhuān)用于最大程度降低導(dǎo)電損耗,提供卓越的開(kāi)關(guān)性能,并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此,NTH4L040N65S3F SUPERFET III…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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