2ED2106S06F是650 V高邊和低邊高速功率 MOSFET和IGBT 柵極驅(qū)動器,它采用DSO-8封裝,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流。
基于英飛凌SOI技術(shù), 它對VS引腳的負瞬態(tài)電壓有著出色的耐用性和抗干擾性。2ED2106S06F沒有采用寄生晶閘管結(jié)構(gòu),因此在任何溫度和電壓條件下,都不存在寄生閂鎖效應(yīng)。
2ED2106S06F的特性包括:
工作電壓(VS節(jié)點)高達 + 650 V
VS負瞬態(tài)抗擾 100 V
集成超快、低電阻自舉二極管, 減少了物料清單成本
浮動通道,用于自舉操作
最大電源電壓:25 V
兩個通道均具有獨立的欠壓鎖定(UVLO)
傳播延時:200 ns
HIN, LIN 邏輯輸入
VS引腳的邏輯操作高達–11 V
輸入負電壓容差:–5 V
浮動通道可用于驅(qū)動采用高邊配置的N通道MOSFET、SiC MOSFET或IGBT
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