ADRF5030BCCZN是一款非反射式單刀雙擲 (SPDT) 開關,采用絕緣體上硅(SOI)工藝制造。ADRF5030BCCZN的工作頻率范圍為 100 MHz 至 20 GHz,其插入損耗低于 1.2 dB,隔離度高于 45 dB。此外,ADRF5030BCCZN采用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 和低壓晶體管到晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容控制。
主要特性
寬帶頻率范圍:100 MHz 至 20 GHz
非反光 50 Ω設計
低插入損耗
0.1 GHz 至 6 GHz 之間為 0.7 dB(典型值)
6 GHz 至 12 GHz 之間為 0.9 dB(典型值)
1.2 dB(典型值),最高 20 GHz
高隔離度
100 MHz 至 6 GHz 之間為 55 dB(典型值)
6 GHz 至 12 GHz 之間為 50 dB(典型值)
高達 20 GHz 時為 45 dB(典型值)
高輸入線性度
P0.1dB:>36 dBm(典型值)
IP3:>60 dBm(典型值)
高 RF 功率處理能力
直通路徑:36 dBm 峰值/33 dBm 平均值
端接路徑:36 dBm 峰值/33 dBm 平均值
熱切換:36 dBm 峰值/33 dBm 平均值
兼容 CMOS/LVTTL
無低頻雜散;無負電壓發(fā)生器
RF 開關時間:70 ns
RF 建立時間 (0.1 dB):95 ns
單電源工作能力(VDD = 3.3 V,VSS = 0 V)
20 引腳、3 mm × 3 mm、LGA 封裝
引腳與 ADRF5022 和 ADRF5026 兼容
ADRF5030BCCZN適用于多種應用場景,包括:
測試儀器
軍用無線電、雷達、電子對抗措施 (ECM)
微波無線電和甚小孔徑終端 (VSAT)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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