CY7C1061GN30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 靜態(tài) RAM，按 16 位組織為 1,048,576 字。
CY7C1061GN30-10ZXI 的特點
高速
tAA = 10 ns/15 ns
低功耗
100 MHz 時 ICC = 90 mA
低 CMOS 待機電流
ISB2 = 20 mA（典型值）
工作電壓為 2.2 V 至 3.6 V
1.0 V 數據保持
取消選擇時自動關機
TTL 兼容輸入和輸出
利用 CE1 和 CE2 功能輕松擴展存儲器
采用無鉛 48 引腳 TSOP I、54 引腳 TSOP II 和 48 球 VFBGA 封裝
提供雙芯片使能選項
CY7C1061GN30-10ZXI 的應用
能量存儲系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V，89 A 壓力觸點技術相位控制模塊，使用隔離銅底板。電話咨詢：86-755-83294757
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