AIDK16S65C5是第 5 代 CoolSiC? 汽車肖特基二極管代表了英飛凌在碳化硅肖特基勢壘二極管領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)。得益于緊湊的設(shè)計和基于薄晶圓的技術(shù),該系列產(chǎn)品在所有負(fù)載條件下都能提高效率,這得益于其熱特性和低功耗(Qc x Vf)。該產(chǎn)品系列旨在補(bǔ)充英飛凌的 IGBT 和 CoolMOS? 產(chǎn)品組合。這可確保滿足 650V 電壓等級中最嚴(yán)格的應(yīng)用要求。
AIDK16S65C5特點(diǎn)
- 革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅
- 基準(zhǔn)開關(guān)性能
- 無反向恢復(fù)/無正向恢復(fù)
- 開關(guān)行為不受溫度影響
- 高浪涌電流能力
- 無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
- 結(jié)溫范圍為 -40°C 至 175°C
- 系統(tǒng)效率高于硅二極管
- 冷卻要求降低,從而節(jié)省了系統(tǒng)成本/尺寸
- 實(shí)現(xiàn)更高頻率/更高功率密度的解決方案
- 更低的工作溫度帶來更高的系統(tǒng)可靠性
- 減少電磁干擾
AIDK16S65C5 規(guī)格
技術(shù): SiC(Silicon Carbide)Schottky
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
電流 - 平均整流 (Io) :16A
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) :1.7 V @ 16 A
速度: 無恢復(fù)時間 > 500mA(Io)
反向恢復(fù)時間 (trr) :0 ns
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏: 90 μA @ 650 V
不同 Vr、F 時電容: 483pF @ 1V,1MHz
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q101
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-2
工作溫度 - 結(jié): -40°C ~ 175°C
AIDK16S65C5潛在應(yīng)用
- 升壓器/DCDC 轉(zhuǎn)換器
- 板載充電器/PFC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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