商品名稱：IPD06P004N
數據手冊：
IPD06P004N.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-252
貨期：全新原裝
庫存數量：10000 件
IPD06P004N 表面貼裝型 P 通道 60 V 16.4A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
特征
?P通道
?Verylowon電阻RDS（開啟）
?100%雪崩測試
?正常水平
?增強模式
?無鉛鉛鍍層；符合RoHS
?符合IEC61249-2-21的無鹵素
型號
品牌
封裝
數量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，在硬開關應用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格：產品優(yōu)勢具有出色的效率，降低結溫和外殼溫度，從而提高設備可靠性母線電壓可提升50V，同時不影響可靠性更高的功率密度設…
IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt 可控范圍應用領域IGD08…
IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V，15 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。技術參數IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：34 A電流 - 集…
IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V，8 A 硬開關TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件，具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。其特征和技術規(guī)格如下：特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V（Tvj = 150C）高抗短路能力（8 s）寬的dv/dt…
IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat，可在目標應用中實現超低導通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術規(guī)格：IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設計降低電磁干擾技術規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V電流 - 集電極 (Ic)（最…電話咨詢：86-755-83294757
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