商品名稱：SCTH90N65G2V-7
數據手冊：
SCTH90N65G2V-7.pdf
品牌：ST
年份：23+
封裝：H2PAK-7
貨期：全新原裝
庫存數量：3000 件
SCTH90N65G2V-7 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET具有24m?（典型值）和116A（額定值）特性，器件采用H2PAK?7封裝。該功率MOSFET采用ST半導體先進創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術開發(fā)而成，具有出色的開關性能。
特性：
? 非常高的工作結溫能力(TJ = 175°C)
? 非?？焖俸头€(wěn)健的內在體二極管
? 極低的柵極電荷和輸入電容
應用：
? 切換應用
? 可再生能源系統(tǒng)供電
? 高頻DC-DC轉換器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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VND5N07TR 一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OMNIFET II? 和 VIPower? 系列，采用 DPAK（TO-252-3）封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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