商品名稱:FF450R08A03P2
數(shù)據(jù)手冊(cè):FF450R08A03P2.pdf
品牌:INFINEON
年份:22+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1200 件
FF450R08A03P2 IGBT模塊是一款非常緊湊的半橋模塊,適合用于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車應(yīng)用。該模塊實(shí)施EDT2 IGBT生成,采用創(chuàng)新的小型封裝,設(shè)計(jì)用于雙面冷卻 (DSC),具有出色的散熱性能。FF450R08A03P2 IGBT模塊具有片上電流傳感器、片上溫度傳感器、低電感設(shè)計(jì)、750V阻斷電壓以及低開關(guān)損耗。該模塊具有最高功率密度,并通過帶片上傳感器的EDT2 IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)高逆變器效率。FF450R08A03P2 IGBT模塊完全符合AQG324汽車類標(biāo)準(zhǔn)。
特性
片上電流傳感器
片上溫度傳感器
低電感設(shè)計(jì)
750V阻斷電壓
低開關(guān)損耗
出色的散熱性能
非常緊湊、輕便的電源模塊,可實(shí)現(xiàn)最高功率密度
通過帶片上傳感器的EDT2 IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)高逆變器效率
短時(shí)間擴(kuò)展工作溫度:Tvj op=175°C
完全符合AQG324汽車類標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
汽車
混合動(dòng)氣汽車 (HEV)
優(yōu)化用于汽車應(yīng)用,直流鏈路電壓高達(dá)450V,柵極驅(qū)動(dòng)器電壓電平為-8V/15V
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊(0.846",21.48mm)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IGW75N65H5
IGW75N65H5器件是一款采用新型TRENCHSTOP?5 IGBT 技術(shù)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT),在硬開關(guān)應(yīng)用中提供無與倫比的高效性能。具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:產(chǎn)品優(yōu)勢具有出色的效率,降低結(jié)溫和外殼溫度,從而提高設(shè)備可靠性母線電壓可提升50V,同時(shí)不影響可靠性更高的功率密度設(shè)…IGD08N120S7
IGD08N120S7是一款采用TO-252 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt 可控范圍應(yīng)用領(lǐng)域IGD08…IGB15N120S7
IGB15N120S7器件是一款采用TO-263 封裝的1200 V,15 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。技術(shù)參數(shù)IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):34 A電流 - 集…IGB08N120S7
IGB08N120S7是一款采用TO-263 封裝的1200 V,8 A 硬開關(guān)TRENCHSTOP? IGBT7 S7單管器件,具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。其特征和技術(shù)規(guī)格如下:特征描述VCE = 1200 VIC = 8 A低飽和壓降VCEsat = 2 V(Tvj = 150C)高抗短路能力(8 s)寬的dv/dt…IGB03N120S7
IGB03N120S7絕緣柵雙極晶體管(IGBT)具有低飽和壓降VCEsat,可在目標(biāo)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通損耗。該器件具有以下優(yōu)勢和技術(shù)規(guī)格:IGB03N120S7的優(yōu)勢面向高電壓輔助電源的緊湊設(shè)計(jì)降低電磁干擾技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最…電話咨詢:86-755-83294757
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