商品名稱:N 溝道 MOSFET
數(shù)據(jù)手冊:IPT015N10N5.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:30980 件
英飛凌采用TO-Leadless封裝的OptiMOS?功率MOSFET為高達300A的大電流應用進行了優(yōu)化,如叉車、輕型電動車(LEV)、電動工具、負載點(POL)、電信和電子保險絲。此外,封裝尺寸縮小了60%,使其設計非常緊湊。與D2PAK 7-pin相比,TO-Leadless的占地面積大幅減少30%。高度減少了50%,在狹窄的應用中具有明顯的優(yōu)勢,如機架或刀片服務器。
IPT015N10N5產品規(guī)格:
系列:OptiMOS?
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :300A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 1.5 毫歐 @ 150A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 211 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 16000 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 375W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: PG-HSOF-8-1
封裝/外殼: 8-PowerSFN
基本產品編號: IPT015
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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BTS5210G是一款 雙通道智能高側電源開關,采用 SIPMOS 技術 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應用。電話咨詢:86-755-83294757
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