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MSC080SMA120S器件是一款1200V，35A的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，采用 TO-268-3（2 引線 + 接片）引腳封裝，功耗最高為182W。該碳化硅MOSFET無需任何續(xù)流二極管，降低了系統(tǒng)成本。典型應(yīng)用包括智能電網(wǎng)輸配電、感應(yīng)加熱和焊接、供電及配電。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：35A

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 15A，20V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：838 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：182W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：D3PAK

封裝/外殼：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA

基本產(chǎn)品編號(hào)：MSC080

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