商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,電壓為 1200 V,G1 為 8 mΩ,集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷。
FF8MR12W1M1HS4PB11 的特點(diǎn)
同類最佳,高度為 12.25 毫米
領(lǐng)先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強(qiáng)型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強(qiáng)型 1 溝道技術(shù)
更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop:過(guò)載條件高達(dá) 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
FF8MR12W1M1HS4PB11 的優(yōu)勢(shì)
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實(shí)現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導(dǎo)熱性
FF8MR12W1M1HS4PB11 的應(yīng)用
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車(chē)充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V,171 A 模塊,用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。DD98N22K
DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、可再生能源等高功率應(yīng)用場(chǎng)景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲(chǔ)器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲(chǔ)器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測(cè)試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V,89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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