MD29HTC120P6HET 1200V/2.83mΩ SiC MOSFET 模塊 6 封裝。SiC MOSFET 功率模塊具有極低的 RDS(on)和極高的阻斷電壓。它專為混合動力和電動汽車等應(yīng)用而設(shè)計。
MD29HTC120P6HET
封裝:P6
額定電流:-
芯片類型:SIC
額定電壓:1200V
電路結(jié)構(gòu):Sixpack/六單元
特征:PINFIN基板
特點(diǎn)
? SiC 功率 MOSFET
? 具有低 RDS(導(dǎo)通)的高阻塞電壓
? 易于并聯(lián),驅(qū)動簡單
? 低電感情況下避免振蕩
? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式銅針腳基板
典型應(yīng)用
? 汽車應(yīng)用
? 混合動力和電動汽車
? 電機(jī)驅(qū)動用逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司成立于2005年4月,專業(yè)從事以IGBT為主的功率半導(dǎo)體芯片和模塊的設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)及銷售服務(wù),是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。公司總部位于浙江嘉興,在上海、重慶、浙江和歐洲均設(shè)有子公司,并在國內(nèi)和歐洲德國和瑞士設(shè)有研發(fā)中心。2020年…
ID10FFX60U5SS
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