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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:UF3C065080T3S

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Qorvo

年份:24+

封裝:TO-220-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Qorvo
型號
UF3C065080T3S
封裝
TO-220-3
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 650 V, 80 mohm SiC FET TO-220-3L

產(chǎn)品描述

UF3C065080T3S 是一款采用TO-220 3L封裝的650 V, 80 mohm SiC FET,配合推薦的RC緩沖器使用時,非常適合開關(guān)感性負載,以及任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。


規(guī)格

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:通孔

封裝 / 箱體:TO-220-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:650 V

Id-連續(xù)漏極電流:31 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:100 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Qg-柵極電荷:51 nC

最小工作溫度:- 55°C

最大工作溫度:+ 175°C

Pd-功率耗散:190 W

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

商標名:SiC FET

系列:UF3C

配置:Single

下降時間:11 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:13 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間:59 ns

典型接通延遲時間:18 ns

單位重量:2 g


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TO-247-3

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碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

NTH4L032N065M3S

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TO-247-4

3000

碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

NTBG032N065M3S

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  • 6.公司能開發(fā)票嗎?

    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

Qorvo

Qorvo

Qorvo總部位于美國北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計經(jīng)驗,全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…

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