商品名稱:F-RAM
品牌:Cypress
年份:24+
封裝:PG-DSO-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY15B102QSN-108SXI - 2Mb 四路 SPI 串行 EXCELON? 超鐵電 RAM (F-RAM) 存儲器,采用 8 引腳 SOIC 封裝
產(chǎn)品概覽
CY15B102QSN-108SXI 是一款采用先進鐵電工藝的高性能 2-Mbit 非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或 F-RAM 是非易失性存儲器,其讀寫功能與 RAM 相似。CY15B102QSN 將 2-Mbit F-RAM 與高速 quad SPI (QPI) SDR 和 DDR 接口相結(jié)合,增強了 F-RAM 技術(shù)的非易失性寫入能力。
主要特性
- 2-Mbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結(jié)構(gòu)為 256K × 8
- 單輸入/輸出和多輸入/輸出 SPI
- 串行總線接口 SPI 協(xié)議
- 擴展 I/O SPI 協(xié)議
- 雙 SPI (DPI) 協(xié)議
- 四 SPI (QPI) 協(xié)議
- SPI 時鐘頻率
- 高達 108-MHz 頻率 SPI SDR
- 高達 54-MHz 頻率的 SPI DDR
- 內(nèi)存讀/寫的就地執(zhí)行 (XIP)
- 寫保護、數(shù)據(jù)安全和數(shù)據(jù)完整性
- 高速時功耗低
- 108 MHz SPI SDR 的有效電流為 10 mA(典型值
- 108 MHz QSPI SDR 和 54 MHz QSPI DDR 的活動電流為 16 mA(典型值
- 110 μA(典型值)待機電流
- 0.80 μA(典型值)深度掉電模式電流
- 0.1 μA(典型值)休眠模式電流
- 工作溫度:-40°C 至 +85°C
- 8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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