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STM32F217IGT6 器件基于高性能ARM? Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)120 MHz。該MCU集成了高速嵌入式存儲器(高達(dá)1MB的閃存，高達(dá)128Kb的系統(tǒng)SRAM)，高達(dá)4kb的備份SRAM，以及廣泛的增強(qiáng)I/O和連接到兩個(gè)APB總線，三個(gè)AHB總線和32位多AHB總線矩陣的外設(shè)。

該器件還具有自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲器加速器(ART accelerator?)，可在高達(dá)120 MHz的CPU頻率下實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于Flash存儲器0等待狀態(tài)程序執(zhí)行的性能。這種性能已經(jīng)使用CoreMark基準(zhǔn)測試進(jìn)行了驗(yàn)證。

器件提供三個(gè)12位adc，兩個(gè)dac，一個(gè)低功耗RTC, 12個(gè)通用16位定時(shí)器，包括兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器，兩個(gè)通用32位定時(shí)器。一個(gè)真數(shù)字隨機(jī)生成器(RNG)。它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級通信接口。新的先進(jìn)外設(shè)包括SDIO、增強(qiáng)型靈活靜態(tài)存儲器控制(FSMC)接口(用于100引腳以上封裝的設(shè)備)、加密加速單元和CMOS傳感器的相機(jī)接口。這些設(shè)備還配備了標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)。

STM32F217IGT6微控制器采用 176 引腳 LQFP 封裝，工作溫度在-40°C 至 85°C 范圍內(nèi)，它的工作電源電壓為 1.8V 至 3.6V。

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