NP30N06QDK-E1-AY - 60V、30A 雙 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
產品概覽
NP30N06QDK-E1-AY 是一款雙 N 溝道 MOS 場效應晶體管,設計用于大電流開關應用。
產品屬性
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HSON-8
晶體管極性: N-通道
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V
Qg-柵極電荷: 25 nC
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 59 W
通道模式:增強型
產品特性
超低導通電阻 RDS(on)1 = 14 mΩ MAX. (VGS = 10 V,ID = 15 A) RDS(on)2 = 21 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V,ID = 7.5 A)
低 Ciss: Ciss = 1500 pF TYP. (VDS = 25 V)
專為汽車應用設計,通過 AEC-Q101 認證
小尺寸封裝 8 引腳 HSON 雙通道
應用
高度集成的 100W USB-PD 充電器
型號
品牌
封裝
數量
描述
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QS3VH253QG8
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