S26KL128SDABHB023 是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件。該器件具有 8 位寬 DDR 數據總線，僅使用字寬地址邊界。
特性
初始隨機存取讀取延遲：5 至 16 個時鐘周期
順序突發(fā)事務
可配置的突發(fā)特性
3.0VVcc 時的 100-MHz 時鐘速率（200 MBps）
混合選項：一個包裹式突發(fā)后是線性突發(fā)
在每個事務中選擇封裝或線性突發(fā)類型
可配置的輸出驅動強度
高達 333-MBps 的持續(xù)讀取吞吐量
低功耗模式
讀取期間主動時鐘停止：12 mA，無需喚醒
型號
品牌
封裝
數量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
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IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅（SiC）肖特基二極管，屬于 CoolSiC? 第五代 產品系列，采用 TO-247-3 封裝
BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領先的基準技術，完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機驅動器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性：N 溝道通道數：1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓：250 VId…
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CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器，具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存（1.0625M x 8）、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。
IPD14N06S2-80
IPD14N06S2-80 是 55V 80mΩ OptiMOS? N 溝道汽車 MOSFET 晶體管。IPD14N06S2-80 的特性N 溝道 - 增強模式通過汽車 AEC Q101 認證MSL1 峰值回流溫度高達 260C175C 工作溫度綠色封裝（無鉛）超低 Rds(on)100% 雪崩測試IPD14N06S2-80 的優(yōu)勢在 55V（導通）電壓下，為平面技…
IRF1310NPBF
IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝。電話咨詢：86-755-83294757
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