商品名稱：GCMS040A120S1-E1
品牌：SemiQ
年份：24+
封裝：SOT-227
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
GCMS040A120S1-E1 1200V SiC MOSFET模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計(jì)。SemiQ SiC MOSFET模塊以零開關(guān)損耗運(yùn)行，可顯著提高效率并減少散熱，從而允許更小的散熱器。
優(yōu)勢
高開關(guān)頻率工作時(shí)出色的功率轉(zhuǎn)換效率
低開關(guān)損耗和低EMI噪聲
非常堅(jiān)固且易于安裝
直接安裝到散熱器上（隔離封裝）
低結(jié)至外殼熱阻
由于VF的正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
光伏逆變器
航空航天致動器
服務(wù)器電源
高壓交流/DC轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動全選項(xiàng)混合動力驅(qū)動 mSiC? MOSFET 模塊
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答：可以通過網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
SemiQ 設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體以及 150mm SiC 外延晶片。SiC 二極管和 MOSFET 提供分立和模塊以及裸芯片和晶片形式。SemiQ 還提供電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方面的專業(yè)知識，其中包括子系統(tǒng)設(shè)計(jì)和半定制模塊。SemiQ 服務(wù)于以下終端市場：電動汽車充電器和充電站、功率…
GCMX020B120S1-E1
SemiQ發(fā)布全新QSiC 1200V SOT-227 SiC模塊，提升能源標(biāo)準(zhǔn)。GCMX020B120S1-E1 1200V、113A超高效模塊支持電動汽車、醫(yī)療電源和太陽能大功率應(yīng)用的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性FET 類型：N 通道技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：113…
GCMX005A120S7B1
GCMX005A120S7B1 1200V SiC MOSFET半橋模塊具有低開關(guān)損耗、低結(jié)殼熱阻以及非常堅(jiān)固和易于安裝的特點(diǎn)。該模塊在175C結(jié)溫下工作，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。典型應(yīng)用包括光伏逆變器、電池充電器、儲能系統(tǒng)和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功…
GCMX010A120B3B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。器件：GCMX010A120B3B1P類型：SiC半橋模塊產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）…
GCMX005A120B3B1P
GCMX005A120B3B1P是一款采用半橋封裝的1200V、383A 高性能QSiC?電源模塊。SemiQ 新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：4 N 溝道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX020A120B2B1P
GCMX020A120B2B1P是一個(gè)配置有2 個(gè) N 通道的1200V、102A 半橋封裝的高性能SiC電源模塊。該SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。產(chǎn)品屬性技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET 功能：碳化硅（SiC）漏源…
GCMX010A120B2B1P
SemiQ推出半橋封裝的高性能QSiC電源模塊，其中包括GCMX010A120B2B1P 1200V、214A SiC MOSFET半橋模塊。這些新型1200V SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、電池充電器、儲能和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中提供可靠、高效的運(yùn)行。規(guī)格技術(shù)：碳化硅（SiC）配置：2 個(gè) N 通道（半橋）FET …電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
