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GHXS050B120S-D3是一款1200V SiC肖特基二極管模塊（雙二極管組件）。SemiQ SiC肖特基二極管模塊通過最新的SiC芯片組和最小化的封裝寄生效應(yīng)來提高性能。這些SiC肖特基二極管在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，簡化了電力電子系統(tǒng)的熱設(shè)計。

產(chǎn)品屬性

二極管配置：2 個獨立式

技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：101A（DC）

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.7 V @ 50 A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100 μA @ 1200 V

工作溫度 - 結(jié)：-55°C ~ 175°C

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：SOT-227

基本產(chǎn)品編號：GHXS050

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