商品名稱:IMZA75R090M1H
數(shù)據(jù)手冊:IMZA75R090M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO247-4-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IMZA75R090M1HCoolSiC? MOSFET 技術(shù)利用碳化硅的強(qiáng)大物理特性,增加了獨(dú)特的功能,提高了器件的性能、堅(jiān)固性和易用性。建立在最先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體基礎(chǔ)上,經(jīng)過優(yōu)化,能夠在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗和最高運(yùn)行可靠性。英飛凌的 SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,降低了柵極電路上的寄生源電感效應(yīng),從而加快了開關(guān)速度并提高了效率。
功能概述
● 低電容
● 優(yōu)化了大電流下的開關(guān)性能
● 換向穩(wěn)健的快速體二極管,反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 低
● 出色的柵極氧化物可靠性
● 優(yōu)異的熱性能
● 雪崩能力更強(qiáng)
● 可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動器配合使用
● 4 引腳封裝
應(yīng)用
● 服務(wù)器
● 電信
● SMPS
● 太陽能系統(tǒng)
● 儲能和電池組件
● 不間斷電源
● 電動汽車充電
● 電機(jī)驅(qū)動
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描述
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[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號:IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…電話咨詢:86-755-83294757
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