商品名稱:STM32F334C8T7TR
數據手冊:STM32F334C8T7TR.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP-48
貨期:全新原裝
庫存數量:20000 件
STM32F334C8T7TR集成了高性能的 Arm? Cortex?-M4 32 位 RISC 內核,工作頻率高達 72 MHz,內嵌浮點運算單元 (FPU)、高速嵌入式存儲器(閃存高達 64 Kbytes,SRAM 高達 12 Kbytes)以及連接到兩個 APB 總線的各種增強型 I/O 和外設。
STM32F334C8T7TR微控制器提供兩個快速 12 位 ADC(5 Msps)、多達三個超高速比較器、一個運算放大器、三個 DAC 通道、一個低功耗 RTC、一個高分辨率定時器、一個通用 32 位定時器、一個電機控制專用定時器和四個通用 16 位定時器。它們還具有標準和高級通信接口:一個 I2C、一個 SPI、多達三個 USART 和一個 CAN。
STM32F334C8T7TR的工作溫度范圍為 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,電源電壓為 2.0 至 3.6 V。全套省電模式允許設計低功耗應用。
產品屬性
核心處理器: ARM? Cortex?-M4
內核規(guī)格: 32 位單核
速度: 72MHz
外設: DMA,POR,PWM,WDT
I/O 數: 37
程序存儲容量: 64KB(64K x 8)
程序存儲器類型: 閃存
RAM 大?。?12K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :2V ~ 3.6V
數據轉換器: A/D 15x12b; D/A 3x12b
振蕩器類型: 內部
工作溫度: -40°C ~ 105°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-LQFP
供應商器件封裝: 48-LQFP(7x7)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數特性和緊密的參數分布…STGWA60V60DF
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STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數VCE(sat)和嚴格的參數分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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