商品名稱:MGD3160AM515EKR2
數(shù)據(jù)手冊:MGD3160AM515EKR2.pdf
品牌:NXP
年份:23+
封裝:32-SOIC
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MGD3160AM515EKR2是一款先進的單通道柵極驅(qū)動器,設(shè)計用于驅(qū)動最新的 SiC 和 IGBT 模塊,適用于xEV 牽引逆變器、OBC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。提供集成電隔離、通過 SPI 的可編程接口以及先進的可編程保護功能,如過熱、失飽和和電流感應(yīng)保護。能夠直接驅(qū)動 SiC MOSFET 和 IGBT 柵極:其高柵極電流和可編程柵極驅(qū)動電壓功能可提供高性能開關(guān)、低動態(tài)導(dǎo)通電阻和軌至軌柵極電壓控制。
主要特點
● 集成電隔離信號(高達 8 kV)
● 集成高柵極電流: 15 A 源/匯流能力
● 用于安全監(jiān)控、配置和診斷報告的 SPI 接口
● 支持高開關(guān)頻率: PWM 頻率高達 100 kHz
● 從 LV 和 HV 域進行故障安全狀態(tài)管理,用戶可選擇安全狀態(tài)
● 擴展范圍的可編程柵極電壓調(diào)節(jié)器
● 溫度感應(yīng)與 NTC 和 PTC 熱敏電阻兼容
● 可配置的去飽和和電流檢測功能,專為保護 SiC 和 IGBT 而優(yōu)化
● 集成軟關(guān)斷、兩級關(guān)斷功能,針對 SiC 獨特的柵極驅(qū)動要求進行了優(yōu)化
● 集成 ADC,用于監(jiān)控高壓域參數(shù)
● CMTI > 100 V/ns
● 兼容 200 V 至 1700 V IGBT/SiC,功率范圍 > 125 kW
● 工作溫度范圍 -40 °C 至 125 °C
● 外部爬電距離 (CPG): > 7.8 毫米
● 提供 3.3 V 或 5.0 V I/O 邏輯接口版本
● 小型封裝(8 毫米 x 13 毫米)32 引腳 SOIC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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