商品名稱:IMW120R040M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊:IMW120R040M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:240 件
IMW120R040M1HXKSA1 采用TO247-3封裝的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進(jìn)的溝槽工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點(diǎn)電壓的導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。
特征描述
出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
高閾值電壓,Vth > 4 V
0V關(guān)斷柵極電壓,實(shí)現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動
寬柵源電壓范圍
堅(jiān)固的低損耗體二極管,適用于硬開關(guān)
關(guān)斷損耗受溫度影響小
.XT擴(kuò)散焊技術(shù),可實(shí)現(xiàn)一流的熱性能
優(yōu)勢
最高效率
減少冷卻工作
更高頻率的運(yùn)行
增加功率密度
降低系統(tǒng)的復(fù)雜程度
應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源(UPS)
電池化成
電動汽車快速充電
電機(jī)控制和驅(qū)動
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…ND171N18K
ND171N18K單整流二極管 34 mm 功率塊 1800 V,171 A 模塊,用于采用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)的相位控制。DD98N22K
DD98N22K是一款高壓、大電流整流二極管模塊,采用20mm PowerBLOCK封裝,支持2200V反向電壓和98A連續(xù)輸出電流,適用于工業(yè)電力電子、電機(jī)驅(qū)動、可再生能源等高功率應(yīng)用場景。CY7C1441KV33-133BZM
CY7C1441KV33-133BZM 器件是一款 36Mbit 同步 SRAM 存儲器,具有多種功能,可解決網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算方面的難題。該 SRAM 存儲器是高速網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器、通信基礎(chǔ)設(shè)施、測試設(shè)備、成像和視頻以及高性能計(jì)算應(yīng)用的理想之選。CY7C1441KV33-133BZM 的特性支持 133 MHz 總線…DD89N14K
DD89N14K是整流二極管 20 mm 功率塊 1400 V,89 使用隔離銅底板的壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊。DD89N12K
DD89N12K整流二極管 20 mm 功率模塊 1200 V,89 A 壓力觸點(diǎn)技術(shù)相位控制模塊,使用隔離銅底板。電話咨詢:86-755-83294757
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