商品名稱:IMBG65R039M1H
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMBG65R039M1H.pdf
品牌:INFINEON
年份:21+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 技術(shù)通過(guò)最大限度發(fā)揮碳化硅強(qiáng)大的物理特性,從而增強(qiáng)了器件性能、穩(wěn)健性和易用性等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。IMBG65R039M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝,基于先進(jìn)的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù),適于大功率應(yīng)用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能,縮減尺寸,增強(qiáng)可靠性。
特征描述
低 Qrr 和 Qoss
低開關(guān)損耗
換向穩(wěn)健型快速體二極管
先進(jìn)溝槽技術(shù)帶來(lái)出色的柵極氧化物可靠性
采用 .XT 互連技術(shù),實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能
雪崩能力更強(qiáng)
SMD 封裝,可直接集成至 PCB
用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測(cè)引腳
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
電信
開關(guān)電源 (SMPS)
太陽(yáng)能系統(tǒng)
儲(chǔ)能和電池系統(tǒng)
不間斷電源 (UPS)
電動(dòng)汽車充電
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD700N22K
DD700N22K是一款 60 mm 整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有高可靠性和出色的電氣性能,適用于多種工業(yè)和能源應(yīng)用場(chǎng)景。DD600N18K
DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。DD600N16K
DD600N16K 整流二極管 60 mm 功率塊 1600 V、600 A 模塊采用高可靠性壓力觸點(diǎn)技術(shù)設(shè)計(jì)和組裝,使用隔離鋁基板。DD560N45K
DD560N45K是一款高性能二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管,采用先進(jìn)的封裝技術(shù),確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。CY7S1061GE30-10ZXI
CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 A,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件…電話咨詢:86-755-83294757
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