商品名稱:TLF30682QVS01
數(shù)據(jù)手冊(cè):TLF30682QVS01.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:48-VFQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
TLF30682QVS01 是一款用于汽車應(yīng)用的多輸出電源管理 IC。該器件由一個(gè)連接電池的降壓穩(wěn)壓器組成,為外部負(fù)載和兩個(gè)低壓后置穩(wěn)壓器提供 3.3 V 電壓。
功能特點(diǎn)
專為高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 優(yōu)化的高效多軌電源芯片
降壓型預(yù)穩(wěn)壓器,適用于 3.7 V 至 35 V(40 V 限時(shí))的寬輸入電壓范圍,總體功率損耗低,瞬態(tài)性能快。適用于陶瓷電容器
用于二次輸出電壓生成的高效降壓后置穩(wěn)壓器
輸出電壓為 5 V 的升壓后置穩(wěn)壓器
兩個(gè)外部電壓軌的電壓監(jiān)控,包括使能信號(hào)
可配置的窗口看門狗
16 位 SPI
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 規(guī)范)
潛在應(yīng)用
汽車應(yīng)用
高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)
77 GHz 雷達(dá) ECU
攝像頭 ECU
人機(jī)界面 (HMI) 應(yīng)用
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
30-WFBGA
1000
- 相機(jī),耳穿戴設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng),可穿戴設(shè)備 穩(wěn)壓器 IC 3 輸出 30-WLP(2.75x2.15)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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