商品名稱:IPAN70R600P7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPAN70R600P7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPAN70R600P7S是英飛凌科技公司率先采用超級(jí)結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì)的高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。最新的 CoolMOS?P7 是一個(gè)優(yōu)化的平臺(tái),專門針對(duì)成本敏感的消費(fèi)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列提供了快速開關(guān)的超級(jí)結(jié)MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn),同時(shí)還具有出色的價(jià)格/性能比和最先進(jìn)的該技術(shù)符合最高能效標(biāo)準(zhǔn),并支持大功率。
產(chǎn)品特性
晶體管類型:N 溝道晶體管
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏極至源極電壓 (Vdss): 700 В
25°C 時(shí)的電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 8.5 A (Tc)
電源電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10 Ω: 10 В
不同 Id、Vgs 時(shí)的開關(guān)電阻(最大值):1.8 A、10 V 時(shí)為 600 mOhm
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 3.5 V @ 90 μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值): 10.5 nK,10 V 時(shí)
Vgs(最大值): ±16 V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)(最大值): 364 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 24.9 W (Tc) 24.9 W (Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:通孔
交貨包括:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 完整封裝
應(yīng)用
● 用于飛返桌面,例如用于充電器、適配器、照明等
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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