商品名稱:IPAN60R360PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPAN60R360PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPAN60R360PFD7S是英飛凌科技公司率先采用超級(jí)結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì)的高電壓功率 MOSFET 的革命性技術(shù)。最新的 CoolMOS?PFD7 是一個(gè)優(yōu)化的平臺(tái),專門針對(duì)消費(fèi)品市場(chǎng)中對(duì)成本敏感的應(yīng)用,如充電器、適配器、發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明等、汽車驅(qū)動(dòng)、照明等。器件超級(jí)結(jié) MOSFET 的所有優(yōu)點(diǎn),以及出色的價(jià)格/性能比和該技術(shù)符合最高能效標(biāo)準(zhǔn),支持高功率密度,使客戶能夠?qū)崿F(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):10A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):360 毫歐 @ 2.9A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 140μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):12.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):534 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):23W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 整包
應(yīng)用
● 用于高密度充電器中的 ZVStopologies
● 適配器、照明和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中使用的 ZVStopologies
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
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IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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