商品名稱:IPAN60R125PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPAN60R125PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-FP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IPAN60R125PFD7S功率MOSFET是一項(xiàng)革命性高壓功率MOSFET技術(shù),采用超結(jié)(SJ)原理設(shè)計(jì),由英飛凌首創(chuàng)。最新的CoolMOS? PFD7是一個(gè)經(jīng)過優(yōu)化的平臺(tái),根據(jù)消費(fèi)市場(chǎng)的目標(biāo)成本敏感型應(yīng)用而量身定制,例如充電器、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明等。該全新系列不但具有快速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET的所有優(yōu)勢(shì),而且性價(jià)比和易用性極高。該技術(shù)達(dá)到最高效率標(biāo)準(zhǔn),并支持高功率密度,從而助力客戶實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):125 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 390μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):36 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1503 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):32W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-FP
封裝/外殼:TO-220-3 整包
應(yīng)用
● 用于高密度充電器、適配器、照明和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中的ZVS拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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