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IPB65R155CFD7 擴展了 CFD7 系列提供的電壓等級，是650VCoolMOS?CFD2 的成功補充。CFD7 系列產(chǎn)品的電壓等級，并成為 650VCoolMOS?CFD2 的成功替代產(chǎn)品。開關性能和優(yōu)異的熱性能得到了改善。在諧振開關拓撲中提供了最高的能效，例如 LFD7。在諧振開關拓撲結構（如LLC和相移全橋（ZVS））中具有最高的效率。作為英飛凌快體二極管產(chǎn)品組合的一部分，這一新產(chǎn)品系列融合了快開關的所有優(yōu)勢。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：15A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：155 毫歐 @ 6.4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 320μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1283 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：77W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

應用

● 服務器

● 電信

● EV充電

● 太陽能

● 適合用于軟開關拓撲

● 優(yōu)化用于相移全橋 (ZVS)

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